区熔硅单晶炉模型
模型制作工艺：3d打印
模型制作材质：光敏树脂
模型制作比例：1:6
模型制作工期：15个工作日
模型外围尺寸约：1.90米（高）*0.76米*0.87米
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    传统单晶硅生产采用的是提拉法（CZ），这种方法生产的单晶硅占到 80%以
上。但是由于这种生长方法熔区在坩埚内，难以避免会有坩埚污染，无法达到较
高纯度等要求，不能满足对单晶硅有更高纯度要求的工业应用领域的需求。而采
用区熔法（FZ）生产的单晶硅，由于没有坩埚污染，生长的单晶硅在纯度、各向
完整性、微缺陷等各个方面性能良好，能够满足较高使用要求，特别是以 IGBT
功率元器件为代表的新型电力电子器件产业要求。
    由于区熔单晶硅生长技术门槛高，全球的区熔单晶硅生产商数量少，全球前
5 家公司垄断了全部产量的 95.5%以上。目前处于领先地位的是日本信越公司
（Shinetu）和德国 Siltronic 公司（德国 Wacker 公司控股），2008 年 Siltronic
公司已开始少量销售 8 英寸区熔单晶硅片。目前 6 英寸级商业化的设备供应商只
有 PVA-Tepla 公司进入国内，处于垄断地位。因此，研发制造国产化的 6-8 英寸
区熔单晶硅生长设备是打破国外技术垄断、缩小我国区熔单晶硅材料制造技术与
国际先进水平差距的必由之路。